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U盤廠家提示：DDR4領銜 2011下半年3大新技術展望 (圖)
Intel和鎂光研發的25nm工藝閃存已經開始投產，這一制程據稱比競爭對手至少領先一年。現在很多企業為了提高自己的知名度，開始流行定做禮品U盤，深圳禮U盤定做的工廠有哪些呢？首先量產的25nm顆粒為8GB（64Gb）容量MLC NAND閃存，采用沉浸式光刻技術，核心面積167mm2。支持開放式NAND閃存接口ONFi 2.2，界面速度最高可達200MB/s，頁面(page)尺寸從50/34nm時代的4KB翻番到了8KB，塊(Block)尺寸從128個頁面加倍到256個頁面，讀寫性能預計將有顯著提升。
隨著工藝的不斷升級，SSD固態硬盤的成本大幅下調，之前用80GB的錢如今可以買到120GB的容量，性價比不斷攀升，所以不少廠商紛紛跟進，推出25nm的固態硬盤。
如今市占率非常高的Intel X25-M固態硬盤已經悄然升級為全新25nm的320系列固態硬盤，用戶喜歡稱之為G3。目前該系列固態硬盤批量上市，其中40GB、80GB點名率最高，基本被用作系統盤使用。
芝奇邁入25nm NAND閃存時代的第一款新工藝固態硬盤叫“PHOENIX EVO”。芝奇PHOENIX EVO采用標準的2.5英寸規格，SATA 3Gbps接口，SandForce SF-1222主控制器，容量115GB(產品編號FM-25S2-115GBPE)，沒有自帶緩存，內建ECC/EDC錯誤校驗功能，平均故障間隔時間100萬小時以上，但寫入循環次數沒有公布。
BRKT-A(后文有詳細說明)，2.5寸規格，重量80克，SATA 3Gbps接口，未格式化容量80GB、115GB，均采用25nm MLC NAND閃存芯片，沒有DRAM緩存，控制器采用SandForce SF-1200。
性能方面，ATTO Disk Benchmark測試持續讀取速度280MB/s、持續寫入速度270MB/s、4K Aligned隨機寫入性能50000 IOPS，空閑/待機/休眠功耗最高0.5W，讀寫功耗最高2.0W，抗沖擊能力1500G，平均故障時間100萬小時，支持S.M.A.R.T.。
總結
以上就是為大家帶來2011下半年的新品展望，其中希捷單碟1TB硬盤似乎離普通用戶最近，隨著硬盤單碟容量的不斷提升，內部傳輸速度也在攀升，預計讀寫速度會達到150MB/S左右。
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