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行業(yè)重要消息：IBM內(nèi)存技術(shù)獲重大突破 比閃存速度提高百倍（多圖）
IBM于周四(6月30日)宣布在計算機內(nèi)存技術(shù)方面取得一項技術(shù)突破。這項技術(shù)開發(fā)出的固態(tài)芯片能夠存儲與NAND閃存技術(shù)一樣多的數(shù)據(jù)。但是，性能將提高100倍并且使用壽命更長。
目前，固態(tài)硬盤等NAND閃存產(chǎn)品的寫入速度最高可達每秒2GB。
IBM的相變內(nèi)存芯片使用寬度為90納米的電路。同NAND閃存一樣，PCM也是非易失的芯片。這就意味著在關(guān)閉電源之后，這種芯片仍然能夠保留數(shù)據(jù)。
IBM稱，它已經(jīng)生產(chǎn)出相變內(nèi)存(PCM)芯片，每個單元可存儲2個字節(jié)數(shù)據(jù)，沒有數(shù)據(jù)損壞問題。數(shù)據(jù)損壞是PCM芯片開發(fā)從一開始就遇到的問題。
IBM稱，PCM內(nèi)存的檫寫周期最多可達500萬次。在蘇黎世的IBM研究所的通信經(jīng)理Christopher Sciacca稱，如果你能夠向閃存芯片寫入3000次，那將超過大多數(shù)手機和MP3播放機的使用壽命。但是，這對于用一個小時進行這種操作的企業(yè)來說肯定是不夠的。
IBM研究所內(nèi)存與探索技術(shù)主管Haris Pozidis稱，隨著機構(gòu)和消費者越來越多地使用云計算模式和服務(wù)，需要更強大、更有效率和價格適中的存儲技術(shù)。在過去的五個月里，IBM科學家一直在測試每個單元能夠存儲2個和3個字節(jié)數(shù)據(jù)的多層單元(MLC)芯片。這意味著這種芯片已經(jīng)達到可以實際應(yīng)用的可靠性水平。
除了在企業(yè)和云中應(yīng)用之外，PCM內(nèi)存還將用于DRAM內(nèi)存的擴展。
與NAND閃存不同的是，PCM內(nèi)存在新的數(shù)據(jù)寫入之前不需要把現(xiàn)有的數(shù)據(jù)標記為刪除。這個過程稱作檫寫周期。檫寫周期減慢了NAND閃存的性能，并且隨著時間的推移使NAND閃存損壞，使NAND閃存在消費者產(chǎn)品中的使用壽命為5000至10000次檫寫周期，在企業(yè)級產(chǎn)品中的使用壽命為10萬次檫寫周期。
Pozidis稱，另一種應(yīng)用情況是，處理器能夠直接與PCM內(nèi)存芯片通訊，但是，處理器以為它是在與使用控制器的DRAM內(nèi)存通訊。再說一次，熱門數(shù)據(jù)與DRAM內(nèi)存通訊，不熱門的數(shù)據(jù)與PCM內(nèi)存通訊。
作為一個新技術(shù)，PCM內(nèi)存目前將用于替代美光科技、三星和海力士半導體等公司目前生產(chǎn)的NOR、EEPROM和NVRAM等芯片。
目前的技術(shù)是單層單元(SLC)PCM芯片，每個單元僅存儲1個字節(jié)數(shù)據(jù)，存儲容量有限。例如，三星為其GT-E2550 GSM手機生產(chǎn)的512MB PCM芯片。美光科技Numonyx部門生產(chǎn)一種128MB的PCM芯片并且向一些客戶提供這種產(chǎn)品。客戶將在網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、醫(yī)療監(jiān)視設(shè)備和安全攝像頭中使用這種芯片。
Pozidis稱，DRAM內(nèi)存將繼續(xù)用作處理器的最接近的內(nèi)存設(shè)備以處理最活躍的數(shù)據(jù)，而PCM內(nèi)存可以用于不經(jīng)常訪問的數(shù)據(jù)。PCM內(nèi)存有更大的存儲容量，可以作為存儲庫。如果這個數(shù)據(jù)變成熱門數(shù)據(jù)，PCM內(nèi)存可以把這個數(shù)據(jù)重新放到DRAM內(nèi)存中。
IBM科學家稱，他們在對PCM芯片進行測試的過程中，最糟糕的延遲情況是大約10微秒，比現(xiàn)在市場上最高級的閃存技術(shù)性能高100倍。
Pozidis稱，IBM不打算生產(chǎn)消費者級的PCM內(nèi)存芯片產(chǎn)品。這個技術(shù)的主要目標是向東芝和三星等內(nèi)存廠商出售許可證，幫助這些廠商加快生產(chǎn)用于企業(yè)的內(nèi)存芯片.
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