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論9月內存價格為何逆市反彈 (圖).........2011-09-20
半個月前曾有單條4G內存將跌破100元（相關文章：單條4G或將跌破100）的消息流出，不過近期的內存行情并未向我們預計的那樣發(fā)展。就在大家一片看跌的時候，本周內存價格悄悄出現(xiàn)了反彈，并且連續(xù)四天上揚近10%。縱觀2011年，跌一直都是內存價格的關鍵詞，單條2G從年初的150元到如今的75元，跌幅已然100%。來到9月份內存價格的跌勢卻逐漸放緩，更似乎有企穩(wěn)之勢，內存價格難道真的是到了跌無可跌的地步嗎？
根據集邦調查顯示，由于近期買氣回暖，從8月23日開始內存顆粒價格開始小幅上漲，隨后一周再次進行下行區(qū)間。隨著開學臨近學生返校，學生裝機潮拉動內存需求，同時9月10-12日的中秋假期重疊，更是原本低迷的內存市場拉至一個小高峰。
內存現(xiàn)貨價全線上漲
受到日系以及多家臺系內存顆粒廠商的減產效應影響，現(xiàn)貨市場陸續(xù)出現(xiàn)價格反彈走勢，價格上揚雖不過短短數天，但已顯現(xiàn)供應端減產效應所帶動的價格支撐，讓低迷已久的現(xiàn)貨價格出現(xiàn)反彈的契機。目前以DDR3 2Gb顆粒來計算，內存顆粒單價的合約價同現(xiàn)貨價差價已經縮小至12%，DRAM廠莫不冀望能借著旺季需求，把這波現(xiàn)貨價格的反彈反應至合約市場中，終止嚴峻的合約價格走勢。
影響因素一：廠商減產自救初現(xiàn)成效
日本大廠爾必達近日宣布，因應日圓兌美元匯率攀升，近年來DRAM價格急速下跌，該公司面臨嚴苛經營環(huán)境，考慮將日本廣島工廠部分產能，分階段轉移到成本競爭力較高的臺灣子公司瑞晶電子生產力晶8日宣布PC DRAM投片量將減少50%，減產幅度約4萬片，總產能減產幅度約30%。南亞科也傳出減產幅度擴大至20%，而華亞科也加入減產行列，整體減少產能約5~10%，減少部分主要是南亞科的產能。
這一系列的廠商減產直接導致了庫存消化回補，帶動DRAM價格跌深反彈。不僅如此，DRAM現(xiàn)貨價回升，合約價跌幅趨緩，令各大內存顆粒廠商的股價也相繼漲停。臺系DRAM廠制程工藝落后率先減產，面臨經營困境，產能轉移有助降低成本，對消化庫存也有幫助；在市場不景氣，技術轉型期間減少產能，有助DRAM市況供給改善。
但仔細分析就能發(fā)現(xiàn)，這次減產風波涉及的廠商多為臺系廠商，生產工藝多為40-60nm，生產成本早已高過DDR3 2GB合約價最低10.5美元價位，減產勢在必行。而三星和海力士擁有20-30nm的制程工藝，在2季度仍有盈利率，相對其他競爭對手都出現(xiàn)大規(guī)模赤字，這兩家企業(yè)都表示沒有減產。
影響因素之二：內存更新?lián)Q代 2G DDR3-1333抬價離場
能否優(yōu)先導入先進制程已經成為各內存廠家獲利關鍵，從早期一個制程技術可以沿用一年甚至兩年的周期，轉為現(xiàn)今一年橫跨兩個制程技術，時至今日，各廠仍積極轉進40nm甚至30nm制程，雖然每一個制程技術可以較前代技術增加20%-30%產出量，但提升良率的穩(wěn)定度卻日益困難，40nm制程質量問題頻傳，一再挑戰(zhàn)DRAM廠30nm制程后的研發(fā)技術能力。
三星預計20nm制程預計下半年正式導入量產，30nm良率亦達到成熟穩(wěn)定的階段，成本上的優(yōu)勢亦讓三星暫無任何減產的考慮，持續(xù)擴大DRAM產業(yè)市占率的目標不變。因此在最新的內存廠家營收榜單上三星位居榜首。
但30nm的內存條卻遲遲不能在市場上普及，究其原因無非市面上的40-60nm的內存（多為DDR3-1333內存）存貨依舊很多，要先清完市場上的存貨，為新工藝產品讓路。但之前的降價，讓高價囤貨的商家無利可圖，因此在40-60nm內存退市前，利用減產新聞帶來的影響，抬高內存價格緩和損失。
總結：所以綜合來看，這一波內存漲價的成因無非以上兩點。技術落后的內存顆粒廠家試圖通過減產來改善市場內的供求關系，前段時間高價囤貨的商家經過低價抄底后試圖在抬高價格降低損失，均是人為控制或者炒作所致。因此作為普通消費者，完全沒有必要為這種行為買單。
最后補上一條消息，三星已經在日本秋葉原出貨8GB單條內存，而部分Intel主板已經支持單條8G內存。主流單條內存容量恐怕是要從2G、4G進化成4G、8G了，可見2G內存最后的日子亦不多矣。
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